您好!欢迎访问华体会体育!
专注精密制造10载以上
专业点胶阀喷嘴,撞针,精密机械零件加工厂家
联系方式
0679-623185140
您当前的位置: 主页 > 加工设备 >

加工设备

东芝和西数正研发128层3D NAND闪存最早2020年上市

更新时间  2022-04-22 23:09 阅读
本文摘要:根据外媒的报导,东芝及其战略盟友西部数据打算发售更高密度128层3DNAND存储器。在东芝的命名法中,该芯片将命名为BiCS-5。 据介绍,芯片将构建TLC,而不是改版的QLC。这有可能是因为NAND存储器制造商依然对QLC芯片的低产量有担忧。 该芯片的数据密度为512Gb,新的128层芯片的容量比96层芯片多33%,可以在2020到2021年构建商业化生产。 据报导,新的芯片每单位信道的载入性能从66MB/s减少到132MB/s。

华体会体育

根据外媒的报导,东芝及其战略盟友西部数据打算发售更高密度128层3DNAND存储器。在东芝的命名法中,该芯片将命名为BiCS-5。  据介绍,芯片将构建TLC,而不是改版的QLC。这有可能是因为NAND存储器制造商依然对QLC芯片的低产量有担忧。

该芯片的数据密度为512Gb,新的128层芯片的容量比96层芯片多33%,可以在2020到2021年构建商业化生产。  据报导,新的芯片每单位信道的载入性能从66MB/s减少到132MB/s。据报导,该芯片还使用了CuA(阵列电路),这是一种设计创意,节省了15%的芯片尺寸。

华体会体育

华体会体育


本文关键词:华体会体育,东芝,和,西数,正,研发,128层,NAND,闪存,最早

本文来源:华体会体育-www.stscshy.com